Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. К. И. Таперо
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Год выпуска: 2012
Автор произведения: К. И. Таперо
Жанр: Техническая литература
Издательство: «Лаборатория знаний»
isbn: 978-5-9963-2527-6
Краткое описание:
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро– и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро– и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.