Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет. Виктор Мурашев
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
Год выпуска: 2001
Автор произведения: Виктор Мурашев
Жанр: Техническая литература
Издательство: МИСиС
isbn:
Краткое описание:
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления