Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5. Юрий Раков
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
Год выпуска: 0
Автор произведения: Юрий Раков
Жанр: Учебная литература
Издательство: НГТУ
isbn: 978-5-7782-1618-1
Краткое описание:
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.