Шпионские штучки, или Секреты тайной радиосвязи. Михаил Адаменко
конструкции в работе схемы стабилизации рабочей точки транзистора VТ1 участвуют оба резистора. В то же время по высокой частоте блокирован лишь резистор R5, а резистор R4 обеспечивает отрицательную обратную связь по току.
Коэффициент усиления данного микрофонного усилителя зависит от величин сопротивлений резисторов R4 и R5, его значение может изменяться от 3 до 100. Например, при R4 = 1,5 Ом и R5 = 1,2 кОм коэффициент усиления будет составлять 100 при входном сопротивлении RВХ = 3,5 кОм. При увеличении сопротивления резистора R4 до 56 Ом коэффициент усиления рассматриваемого каскада будет равен 30, а входное сопротивление RВХ возрастет до 4 кОм. При R4 = 220 Ом и R5 = 1 кОм коэффициент усиления снизится до 10 при RВХ = 6 кОм. Дальнейшее увеличение сопротивления резистора R4 до 680 Ом при уменьшении сопротивления резистора R5 до величины 470 Ом приведет к снижению коэффициента усиления данного каскада до 3, при этом входное сопротивление RВХ возрастет до 7 кОм. Значения выходного сопротивления данного усилителя при указанных значениях сопротивлений резисторов R4 и R5 неизменны и составляют 2 кОм.
Необходимо отметить, что данный усилительный каскад вполне надежно работает при снижении напряжения питания до 6 В.
В микрофонных усилителях миниатюрных радиопередающих устройств широко применяются и другие схемотехнические решения, обеспечивающие стабилизацию рабочей точки транзистора. Довольно часто используется усилительный каскад со стабилизацией рабочей точки транзистора с помощью цепи отрицательной обратной связи по напряжению. При этом резистор ООС подключается между коллектором и базой транзистора VT1. Принципиальная схема микрофонного усилителя со стабилизацией рабочей точки транзистора с помощью цепи ООС по напряжению приведена на рис. 2.8.
Рис. 2.8. Принципиальная схема микрофонного усилителя со стабилизацией рабочей точки транзистора с помощью цепи ООС по напряжению
Если по каким-либо причинам произойдет увеличение коллекторного тока транзистора VT1, то одновременно увеличится и падение напряжения на резисторе R3, что приведет к соответствующему уменьшению напряжения на коллекторе транзистора VT1. В результате уменьшится и напряжение, подаваемое на базу транзистора через резистор R2. Ток, протекающий через переход база-эмиттер, станет меньше, соответственно уменьшится и коллекторный ток транзистора. Аналогичным образом, при уменьшении коллекторного тока транзистора VT1 одновременно уменьшится и падение напряжения на резисторе R3, что приведет к соответствующему увеличению напряжения на коллекторе транзистора. В результате увеличится напряжение, подаваемое на базу транзистора VT1 через резистор R2. Ток, протекающий через переход база-эмиттер, станет больше, соответственно увеличится и коллекторный ток транзистора.
Как и в рассмотренных ранее конструкциях для получения максимальной амплитуды неискаженного усиленного сигнала на выходе микрофонного усилителя необходимо, чтобы напряжение на коллекторе транзистора