Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография. Салим Мадрахмович Отажонов
(§3) легированных серебром Тонких пленок CdTe, что последние обнаруживают существенное примесное поглощение и обладают примесной фотопроводимостью. Возникает нетривиальный естественный вопрос не возникают высоковольтный фото-ЭДС, т. е. АФН в примесной области поглощения в этих пленках. До настоящего времени практически во всех работах [1—10], посвященных исследованию АФН эффекта, утверждалось, что этот эффект вызывается светом из области собственного поглощения [2]. Наличие локальных уровней учитывалось как компенсирующие центры или как центры, определяющие время жизни носителей заряда, и обычно рассматривалась их роль в определении свойств кристаллита, а фото-возбуждением носителей заряда из них пренебрегалось.
Результат измерения спектра фотонапряжения Тонких пленок CdTe, полученного из работы [2] представлен на рис. 10. Как видно из этих рисунка, действительно, авторам удалось наблюдать АФН-эффект лишь в области собственного поглощения.
Как видно из кривой 2 рис. 6, начиная с энергии кванта возбуждающего света эВ фотопроводимость при полярности внешнего приложенного поля EАФН
Конец ознакомительного фрагмента.
Текст предоставлен ООО «ЛитРес».
Прочитайте эту книгу целиком, купив полную легальную версию на ЛитРес.
Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.