Интегральная Фотоника. Александр Александрович Колесов
такие как кремний и нитрид кремния, а также специальные технологии для создания оптических компонентов, таких как волноводы и связывающие элементы.
Разработчики фотонных чипов также используют блоки, как и в случае с разработкой кремниевых микросхем. Для этого они используют набор проектирования процесса (PDK), который предоставляется фабрикой.
PDK можно сравнить с набором строительных блоков, где каждый фотонный компонент в библиотеке является отдельным блоком. Дизайнер может использовать эти блоки для создания многих типов фотонных схем для различных приложений. Общая технология полезна для снижения затрат, когда дизайнер использует предопределенные, протестированные фотонные компоненты на выбранной им платформе.
Этот PDK содержит базовые компоненты, такие как волноводы, связывающие элементы и другие, которые могут быть использованы для создания различных фотонных интегральных схем. Разработчики могут выбирать нужные компоненты из библиотеки PDK, чтобы создавать свои фотонные устройства.
Однако, как и в случае с микроэлектроникой, создание собственных компонентов возможно только при соблюдении правил фабрики. Для этого разработчикам необходимо следовать определенным параметрам, таким как стек материала, минимальное расстояние между оптическими компонентами и другие, чтобы использовать настраиваемый компонент из определенной фабрики.
Таким образом, использование PDK в интегральной фотонике позволяет разработчикам быстрее и эффективнее создавать новые фотонные интегральные схемы, а также уменьшить затраты на разработку и производство. Дизайнеры могут проектировать широкий спектр фотонных интегральных схем (PIC), используя фотонные компоненты фабрики, которые технически и геометрически представлены в их наборах проектирования процесса.
Дизайнер также может создавать свои собственные строительные блоки, но он должен следовать правилам изготовления фабрики, чтобы использовать настраиваемый компонент из определенной фабрики. Правила обычно включают для проектирования определяют стек материала (типы слоев и толщина), минимальное расстояние между оптическими компонентами (например, зазоры между волноводами), максимальная глубина травления, металлизация и электрические зонды (как разместить металл, разрешенные металлические слои) и размер особенностей (размер волноводов, отверстий, активных зон и т.д.).
Материалы и структуры PDK содержит информацию о доступных материалах и структурах, которые можно использовать при проектировании фотонных микросхем.
Важными материалами, используемыми в фотонных микросхемах, являются полупроводники с широкой запрещенной зоной, такие как кремний (Si), германий (Ge) или соединения III-V-группы (например, GaAs). Эти материалы обладают свойством поглощать свет определенной длины волны и генерировать пару электрона-дырка под его воздействием.
Структуры PDK фотонных микросхем обеспечивают контур активной области или пространства для расположения основных