Задачник по АРИЗ-85-В. Алгоритм решения изобретательских задач. Владимир Петров

Задачник по АРИЗ-85-В. Алгоритм решения изобретательских задач - Владимир Петров


Скачать книгу
4. Мобилизация и применение ВПР

      ШАГ 4.1 Применение ММЧ.

      Маленькие человечки должны пробраться в кристалл (в полости и трещины кристалла) и удерживаться за основу (рис. 3).

      Рис. 3. ММЧ

      ШАГ 4.2. Шаг назад от ИКР.

      1. ИКР.

      Кристаллы расположены вплотную и не выкрашиваются при работе.

      2. Шаг назад от ИКР.

      Кристаллы на микрон отстают друг от друга.

      3. Как теперь достичь ИКР.

      В это минимальное расстояние помещается что-то, что прекрасно заполняет микротрещины и микрополости кристалла и входит в основу так, что кристаллы и основа становятся одним целым.

      ШАГ 4.3. Применение смеси ресурсных веществ.

      Прослойка может быть сделана из смеси высокоплавких металлов.

      ШАГ 4.4. Замена имеющихся ресурсных веществ пустотой или смесью ресурсных веществ с пустотой.

      Задача не решается.

      ШАГ 4.5. Применение веществ, производных от ресурсных (или применением смеси этих производных веществ с «пустотой»).

      См. шаг 4.3. Прослойку делать из высокоплавких металлов с температурой плавления выше, чем температура плавления основы.

      ШАГ 4.6. Введение электрического поля или взаимодействия двух электрических полей.

      Может быть, воспользоваться электрическим полем для проникновения прослойки в микротрещины и микрополости кристалла?

      ШАГ 4.7. Введение пары «поле – добавка вещества, отзывающегося на поле».

      Задача может быть решена, например, использованием электролиза для покрытия кристаллов необходимым металлом.

      Часть 5. Применение информфонда

      ШАГ 5.1. Применение стандартов.

      Можно применить стандарт 1.1.3. Переход к внешнему комплексному веполю.

      где

      В1 – кристаллы алмаза;

      В2 – связующий материал;

      П – адгезия;

      В3 – икс-элемент (дополнительный металл).

      ШАГ 5.2. Применение задач аналогов.

      В качестве задачи-аналога может служить задача о припайке золотых проводников к микросхеме8.

      Условие задачи

      Обычно проводники в интегральных микросхемах (ИМС) делают из золота, имеющего самое малое удельное сопротивление току, но недопустимо плохую адгезию с материалом подложки. Как быть?

      Решение

      Сначала наносят подслой, имеющий хорошую адгезию с подложкой и с золотом, а затем на него напыляют золото. В качестве подслоя берут никель или титан.

      Таким образом, прослойка должна иметь хорошую адгезию с алмазом и с основой.

      ШАГ 5.3. Приемы разрешения ФП.

      Разделение свойств в пространстве

      Внесение дополнительного очень тонкого слоя между кристаллом и основой. Слой должен быть не больше нескольких микрон.

      ШАГ 5.4. Применение «Указателя физэффектов».

      В качестве


Скачать книгу

<p>8</p>

Петров В. М. ТРИЗ. Теория решения изобретательских задач. Уровень 1. – М: Солон-Пресс, 2017. – 252 с.: ил. (ТРИЗ от А до Я). ISBN 978-5-91359-239-2 (задача 6.13).